(资料图片)
6月27日，半导体供应商Diodes宣布推出符合汽车标准的车规级碳化硅（SiC）MOSFET：DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步增强其宽带隙产品系列。两款N沟道MOSFET可满足市场对SiC解决方案不断增长的需求，可在电动和混合动力电动汽车（EV/HEV）汽车子系统中实现更高的效率和更高的功率密度，其中子系统包括电池充电器、车载充电器（OBC）、高功率电源、高效DC-DC转换器、电机驱动器和牵引逆变器。
图片来源：Diodes
本文共计1000字开通高级账号后继续阅读
登录后获取已开通的账号权益温馨提示：研究院技术情报订阅者可畅读全文订阅本文共计1000字开通高级账号后继续阅读
您未开通，请开通后阅读温馨提示：研究院技术情报订阅者可畅读全文订阅
